L'idrogeno viene utilizzato nella crescita dei cristalli e nella preparazione del contrasto, nel processo di ossidazione, nel processo di epitassia e nella deposizione chimica (CVD). L'industria dei semiconduttori ha un'elevata richiesta di purezza del gas. L'incorporazione di impurità in tracce modificherà l'attività superficiale dei semiconduttori. Quando SIHCI3 è generato dal silicio dall'acido cloridrico, viene separato mediante processo di frazionamento e ridotto dall'idrogeno ad alta temperatura per soddisfare i requisiti di purezza del semiconduttore: SIHCI3+H2--- -Si+3HCI. Il requisito di purezza dell'idrogeno è molto elevato nel processo di cui sopra. Le impurità di monossido di carbonio e anidride carbonica nell'idrogeno ossidano il substrato e formano polisilicio. Se contiene metano, formerà carburo di silicio nello strato esterno, causando difetti. In passato, il contenuto di ossigeno era inferiore a 1 * 10-6 e il punto di rugiada era inferiore a - 70 °C, ma ora è più impegnativo. La produzione di idrogeno mediante elettrolisi dell'acqua può soddisfare gli elevati requisiti dei semiconduttori per l'idrogeno.
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