Parametro

Condizione di test

Un gruppo④

MSK4300H③

MSK4300②

Unità

Scelta di controllo

min

Tipico

max

min

Tipico

max

Corrente di polarizzazione statica

Chiudere tutto l'input

1,2,3

2.5

8

2.5

8

mA

Corrente di lavoro

Frequenza u003d 20 KHZ, ciclo di lavoro del 50%.

1,2,3

12.5

15

12.5

15

mA

Valore di soglia di sottotensione (decremento)

1

5.75

6.6

7.5

5.75

6.6

7.5

V

Valore soglia di sottotensione (aumento)

1

6.2

7.1

8

6.2

7.1

8

V

Tensione di ingresso di basso livello①

-

-

-

0.8

-

-

0.8

V

Tensione di ingresso di alto livello①

-

2.7

-

-

2.7

-

-

V

Corrente di ingresso di basso livello①

VINu003d0V

-

60

100

135

60

100

135

microampere

Corrente di ingresso di alto livello①

VINu003d5V

-

-1

-

+1

-1

-

+1

microampere

Ponte di uscita

Tensione di rottura drain-source

IDu003d25μA, chiude tutti gli ingressi

-

70

-

-

70

-

-

V

Corrente di dispersione della sorgente di drenaggio

VDSu003d70V

-

-

-

25

-

-

25

microampere

Resistenza all'accensione-drenaggio （ogni FET）

IDu003d10A

1

-

-

0.3

-

-

0.3

Ohm

Resistenza all'accensione della sorgente di drenaggio （FET，solo per il calcolo termico）①

-

-

-

0.16

-

-

0.16

Ohm

Caratteristica di commutazione

Ora di alzarsi

V+u003d30V,RLu003d3Ω

-

5

-

-

5

-

Nanosecondo

Tempo di declino

IDu003d10A

-

-

-

-

6

-

Nanosecondo

Ritardo di conduzione (verso il basso)

Resistenza ROSu003d∞

4

-

0,5

2

-

0,5

3

Microsecondo

Ritardo di spegnimento (giù)

Resistenza ROSu003d∞

4

-

5

8

-

5

10

Microsecondo

Ritardo di conduzione（alto）

Resistenza ROSu003d∞

4

-

5

8

-

5

10

Microsecondo

Ritardo di spegnimento (su)

Resistenza ROSu003d∞

4

-

0,5

2

-

0,5

3

Microsecondo

Tempo morto

Resistenza ROSu003d∞

4

6

7

8

6

7

8

Microsecondo

Tempo morto

Resistenza SWR 12K

4

0.3

0,5

0.7

0.3

0,5

0.7

Microsecondo

Sorgente –Caratteristiche del diodo di drenaggio

Tensione diretta①

ISDu003d10A

-

-

1.05

1.25

-

1.05

1.25

V

Invertire il tempo di recupero①

ISDu003d10A,di/dtu003d100A/μS

-

-

75

-

-

75

-

Nanosecondo

Spillo

Simbolo

Designazione

Spillo

Simbolo

Designazione

1

BH′

Ingresso del segnale logico di alto livello del canale B

6

VBIAS

Alimentazione per Gate Drive

2

BL

Ingresso segnale logico di basso livello del canale B

7

IT′

Abilitazione al lavoro per il sistema

3

AL

Un ingresso del segnale logico di basso livello del canale

8

CL

Ingresso del segnale logico di basso livello del canale C

4

AH′

Un ingresso del segnale logico di alto livello del canale

9

CH′

Ingresso del segnale logico di alto livello del canale C

5

SWR′

Controllo del tempo morto

10

GND

GND

11

CΦ

Uscita canale C ponte trifase

12

RSENSO

Potenza GND

13

RSENSO

Potenza GND

14

AΦ

Uscita canale A ponte trifase

15

V+

+28V

16

V+

Collegare +28V

17

BΦ

Uscita canale B ponte trifase

18

NC

sospendere